ICC訊  近期，印度聯(lián)邦內(nèi)閣通過四項半導(dǎo)體制造項目審批，總投資額5.5億美元（459.4億盧比）。這些項目分別由SiCSem、Continental Device India（CDIL）、3D Glass Solutions和Advanced System in Package（ASIP） Technologies在奧里薩邦、旁遮普邦和安得拉邦建設(shè)。至此，印度半導(dǎo)體計劃（ISM）支持項目總數(shù)達10個，覆蓋六邦的累計投資升至191.5億美元。

  奧里薩邦強化制造激勵

  奧里薩邦將在布巴內(nèi)什瓦爾信息谷承接兩個項目——SiCSem的碳化硅晶圓廠和3D Glass Solutions的先進封裝廠。該邦在項目獲批前緊急更新政策：將化合物半導(dǎo)體晶圓廠補貼從30%提升至50%，成為全印最高補貼地區(qū)。政策還簡化工業(yè)用地審批流程，承諾為晶圓廠提供十年優(yōu)惠電價及每日超200萬升超純水供應(yīng)。

  印度VLSI協(xié)會主席Satya Gupta向《EE Times》透露："奧里薩邦行動迅速，甚至未等中央批準就先行通過了碳化硅項目。盡管分散布局不如臺韓集群模式高效，但古吉拉特、安得拉等邦的分布仍屬合理。"

  碳化硅廠創(chuàng)新合作模式

  由Archean Chemical控股的SiCSem將與英國Clas-SiC合作建設(shè)印度首座商用碳化硅晶圓廠。該項目獲政府24.7億美元支持，年產(chǎn)能6萬片晶圓及9600萬件封裝器件，產(chǎn)品覆蓋國防、電動汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。印度理工學院布巴內(nèi)什瓦爾分校將追加5380萬美元建設(shè)配套研發(fā)實驗室。

  Clas-SiC首席執(zhí)行官Jennifer Walls詳解合作模式："SiCSem將自主設(shè)計制造器件，新廠建設(shè)期間通過蘇格蘭產(chǎn)線進行市場驗證。我們獲得該廠15-20%產(chǎn)能使用權(quán)及17年專利費，技術(shù)轉(zhuǎn)移包含員工培訓。"這種模式曾助中國合作伙伴三年實現(xiàn)量產(chǎn)，此次將為印度三輪電動車市場優(yōu)先供貨。

  玻璃基板技術(shù)突破

  美國3D Glass Solutions投資23.2億美元建設(shè)垂直整合工廠，年產(chǎn)6.96萬片玻璃中介層、5000萬組裝單元及1.32萬件3D異構(gòu)模塊。電子信息技術(shù)部長Ashwini Vaishnaw證實英特爾、洛克希德·馬丁等企業(yè)將參與投資。Gupta指出："玻璃基板可傳輸光信號等更廣泛信號類型，對突破硅基限制至關(guān)重要。"

  配套項目同步推進

  - ASIP科技與韓國APACT合作，在安得拉邦投資5.6億美元建設(shè)年產(chǎn)能9600萬件的封測廠，服務(wù)移動設(shè)備及汽車電子

  - CDIL投資1.4億美元擴建旁遮普莫哈利工廠，新增1.58億件硅/碳化硅功率器件產(chǎn)能，主攻電動車充電樁

  Gupta強調(diào)："奧里薩邦的兩個項目最具技術(shù)獨特性，碳化硅滿足電動車剛需，玻璃基板制造更屬全球創(chuàng)新。"

  人才戰(zhàn)略支撐制造

  278所院校和72家初創(chuàng)企業(yè)正配合政府培養(yǎng)半導(dǎo)體人才，超6萬學生已參與培訓計劃。Gupta解析人才策略："制造崗位80%為技工，經(jīng)6個月培訓即可上崗。工程師團隊初期主要招募馬來西亞等國的歸國人才，僅25%為應(yīng)屆生。"隨著新增VLSI專業(yè)，兩年內(nèi)本土人才供給將顯著改善。

  此次擴產(chǎn)響應(yīng)電信、汽車等行業(yè)芯片需求激增，通過先進封裝與化合物半導(dǎo)體布局，加速"自力更生的印度"戰(zhàn)略實施，強化全球供應(yīng)鏈地位。

  新聞背景：EE Times印度高級記者Yashasvini Razdan從孟買發(fā)回報道，她擁有電子工程學士學位及商業(yè)新聞研究生學歷，長期追蹤印度半導(dǎo)體生態(tài)發(fā)展。